特許

J-GLOBAL ID：200903077597710621

レ-ザ成膜装置

発明者： 川田 義高
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000722
公開番号（公開出願番号）：特開平6-207276
出願日： 1993年01月06日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、レ-ザCVD法による成膜時に、凝固した有機金属が基板に付着するのを防止したレ-ザ成膜装置を提供することにある。【構成】 基板3を覆うフ-ド21と、このフ-ド内部にガス状の有機金属を含むソ-スガスを供給するリザ-バ8と、上記フ-ド内部に供給されたソ-スガスを可視レ-ザ光で局所的に熱分解して上記成膜対象物に金属膜を形成するレ-ザ発振器13と、上記フ-ド内に供給され上記可視レ-ザ光と未反応のソ-スガスを排出する排気ポンプ33と、上記フ-ドに設けられ上記排気ポンプ33によって排出される未反応のソ-スガスに含まれる有機金属が凝固するのを防止する加熱ヒ-タ21aとを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成膜対象物を覆うフ-ドと、このフ-ド内部にガス状の有機金属を含むソ-スガスを供給する供給手段と、上記フ-ド内部に供給されたソ-スガスを可視レ-ザ光で局所的に熱分解して上記成膜対象物に金属膜を形成するレ-ザ照射手段と、上記フ-ド内に供給され上記可視レ-ザ光と未反応のソ-スガスを排出する排出手段と、上記フ-ドに設けられ上記排出手段によって排出される未反応のソ-スガスに含まれる有機金属が凝固するのを防止する加熱手段とを具備したことを特徴とするレ-ザ成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/48 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭53-066019
  
• 特開昭53-037918