特許
J-GLOBAL ID：200903077597915894
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078849
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：
【要約】【目的】 マイクロ波を高磁場側から導入して、真空容器内に電子サイクロトン共鳴条件を成立させてプラズマ処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波電力が大きい場合でも安定してECR放電が維持でき、かつ、イオンのエネルギーをコントロールするために印加するRF電場の勾配を小さくでき、更にはマイクロ波の波長による制約をも軽減できて、大面積の均一処理が行えるものとする。【構成】 真空容器(1) 内にマイクロ波を導入する導波管(8) を偏平角筒状に形成して高磁場側に配置すると共に、この導波管(8) の開口(18a) の出側に、試料(4) と対向する板状に形成され、その一部にマイクロ波を通過させる貫通穴(9a)を有する導電体(9) を配設して、試料(4) にRFを印加した場合でも、RF電流を導電体(9) の方向、すなわち磁場に平行な方向に流す構成とする。
請求項（抜粋）：
内部に処理ガスを導入すると共に試料を収納する真空容器と、この真空容器内の試料表面に垂直に磁力線が交わるように磁界を形成する磁界発生手段と、この磁界発生手段が形成する磁界の高磁場側から、マイクロ波を真空容器内に導入する導波管を有するマイクロ波導入手段とを備えてなり、真空容器内に電子サイクロトン共鳴条件を成立させて処理ガスをプラズマ化することにより、試料にエッチング、スパッタリング、CVD等のプラズマ処理を行う有磁場マイクロ波プラズマ処理装置において、真空容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段の導波管の出側に、試料と対向する板状に形成され、その一部にマイクロ波を通過させる貫通穴ないしは絶縁材置換部を有する導電体を配設したことを特徴とする有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
IPC (7件)：
C23C 16/50
, C23C 14/34
, C23F 4/00
, H01L 21/285
, H01L 21/302
, H05H 1/46
, H01L 21/31
