特許
J-GLOBAL ID：200903077599906680
プローブ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265621
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321169
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 IC等の微細な被検査体の電気的テスト、特にバーンインテストにおいて、低くかつ安定した接触抵抗を維持し、また、半田バンプを形成して利用するようなテスト方法においては、検査後の被検査体の半田成分が当接部に付着することがなく、しかも被検査体との接触開閉の繰り返しに対しても、初期の接触状態からの劣化が少なく、信頼性の高いテストを行うことのできるプローブ構造を提供すること。【構成】 絶縁性基板1の一方の面側1aに接点部2が形成され、絶縁性基板の他方の面側1bに導電性回路3が形成され、接点部と導電性回路とが、絶縁性基板の厚み方向の貫通孔4内に形成された導通路5を介して導通され、接点部が、硬度300〜700Hkの深層1cと、硬度10〜300Hkの中層1bと、硬度700〜1200Hkの表層1aとを有することを特徴とするプローブ構造である。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の一方の面側に導電性の接点部が形成され、絶縁性基板の他方の面側に導電性回路が形成され、接点部と導電性回路とが、絶縁性基板の厚み方向の貫通孔内に形成された導通路を介して導通され、接点部が、硬度300Hk以上700Hk以下である深層と、深層上に設けられ硬度10Hk以上300Hk未満である中層と、中層上に設けられ硬度700Hk以上1200Hk以下である表層とを有することを特徴とするプローブ構造。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01R 1/073
, G01R 31/26
, H01H 1/00
