特許
J-GLOBAL ID：200903077600143296

DNA固定化FETセンサ及びその作製方法

発明者：
釜堀 政男

釜堀 政男 について

, 
石毛 悠

石毛 悠 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-129697
公開番号（公開出願番号）：特開2006-308373
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】最適なハイブリダイゼーション効率と金電極表面の良好なシールド効果を共に維持できるDNAプローブ固定化法、及びその方法を用いて作製したDNA固定化FETセンサを提供する。【解決手段】DNAプローブとリンカーを分子数比が1:2〜1:100のDNA固定化溶液で、電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にDNAプローブを固定化することにより、固定化密度が4×1012個/cm2以下に制御でき、最適なハイブリダイゼーション効率維持を達成できる。その際問題となる延長ゲート型FETセンサの金電極表面の溶液中のイオンの影響は、DNA固定化溶液中のアルカンチオールの固定化密度を4×1014個/cm2以上に制御すれば、金電極表面のシールド効果が維持されて、取り除くことができる。その際のDNA固定化溶液中のアルカンチオールの濃度が0.5mM以上であれば、該アルカンチオールの固定化密度を制御できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にDNAプローブを固定化してDNA固定化FETセンサを作製する方法において、 金電極と結合する反応基を有するリンカーと結合したDNAプローブと金電極と結合する反応基を有するリンカーのみを有する化合物を含む固定化溶液を調製する工程と、 前記固定化溶液を前記金電極表面に接触させる工程と を有することを特徴とするDNA固定化FETセンサ作製方法。
IPC (7件)：
G01N 27/414 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/483 ,  G01N 27/30 ,  C12N 15/09 ,  C12M 1/00 ,  C12Q 1/68
FI (7件)：
G01N27/30 301Y ,  G01N33/53 M ,  G01N33/483 F ,  G01N27/30 F ,  C12N15/00 F ,  C12M1/00 A ,  C12Q1/68 A
Fターム (22件)：
2G045DA13 ,  2G045FA34 ,  2G045FB05 ,  4B024AA11 ,  4B024CA04 ,  4B024CA09 ,  4B024HA12 ,  4B029AA07 ,  4B029AA23 ,  4B029BB20 ,  4B029CC03 ,  4B029FA15 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR55 ,  4B063QR62 ,  4B063QR82 ,  4B063QS25 ,  4B063QS34 ,  4B063QS39 ,  4B063QX04
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM