特許
J-GLOBAL ID：200903077600942415
薄膜光制御素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056480
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250234
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、反強誘電-強誘電相転移現象に伴い光の透過量を制御することにより高密度化、高集積化を可能とする薄膜光制御素子の提案を目的とする。【構成】 反強誘電-強誘電相転移に伴い透過光量変化を生ずるペロブスカイト型結晶構造の複合酸化物薄膜を有することを特徴とする薄膜光制御素子。
請求項（抜粋）：
反強誘電-強誘電相転移に伴い透過光量変化を生ずるペロブスカイト型結晶構造の複合酸化物薄膜を有することを特徴とする薄膜光制御素子。
IPC (2件)：
G02F 1/17
, G02F 1/055 501
