特許
J-GLOBAL ID：200903077604704950
マイクロマシーニング用ウエファ加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312987
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【目的】 フィクスチャを用いることなくウエファのエッチング処理を行ないしかも金属配線材の侵食を防止することができるマイクロマシーニング用ウエファ加工方法を提供する。【解決手段】 ウエファの一方の面の回路を含む表面に第1パッシベーション膜を付着させ、第1パッシベーション膜の表面を平坦化させ、平坦化させた第1パッシベーション膜の表面に第2パッシベーション膜を付着させ、第1及び第2パッシベーション膜をエッチング除去する部分を設定するために第2パッシベーション膜の表面に第1マスク膜を付着させ、ウエファのエッチング除去させる部分を設定するためにウエファに第2マスク膜を付着させ、第1及び第2マスクを付着した後のウエファを第2パッシベーション膜に対して非侵食性の第1エッチング液に浸し、第1エッチング液によるエッチング後のウエファをウエファに対して非侵食性の第2エッチング液に浸す。
請求項（抜粋）：
ウエファにマイクロマシーニング用の加工を施す加工方法であって、前記ウエファの一方の面側に回路を形成した後、前記ウエファの一方の面の前記回路を含む表面に第1パッシベーション膜を付着させる工程と、前記第1パッシベーション膜の表面を平坦化させる工程と、平坦化させた前記第1パッシベーション膜の表面に第2パッシベーション膜を付着させる工程と、前記第1及び第2パッシベーション膜をエッチング除去する部分を設定するために前記第2パッシベーション膜の表面に第1マスク膜を付着させる工程と、前記ウエファのエッチング除去させる部分を設定するために前記ウエファに第2マスク膜を付着させる工程と、前記第1及び第2マスクを付着した後の前記ウエファを前記第2パッシベーション膜に対して非侵食性の第1エッチング液に浸す第1エッチング工程と、前記第1エッチング工程後の前記ウエファを前記ウエファに対して非侵食性の第2エッチング液に浸す第2エッチング工程と、からなることを特徴とするマイクロマシーニング用ウエファ加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, C23F 1/00
, C23F 1/02
, H01L 21/308
, H01L 29/84
H01L 21/306 A
, C23F 1/00 Z
, C23F 1/02
, H01L 21/308 B
, H01L 29/84 B
