特許
J-GLOBAL ID：200903077605133647
パターン化有機導電体層及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075234
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268640
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 有機導電体層の微細パターン化法の精密化。【解決手段】 有機導電体層の加工法として特異リフトオフ法と特異リアクティブイオンエッチ法を採用する。
請求項（抜粋）：
基板上の有機導電体層を排除すべき部分に、レジスト層を形成するレジスト層形成ステップと、レジスト層の形成された基板上に有機導電体層を全面に被覆する有機導電体層被覆ステップと、有機導電体層にて被覆された基板をレジストの剥離液に浸漬して、上記レジスト層及びこの上面にある有機導電体層を除去する除去ステップとを有していることを特徴とするパターン化有機導電体層の形成法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01B 5/14 B
, G02F 1/1343
2H092HA06
, 2H092KB25
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA22
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA15
, 2H092NA16
, 2H092NA25
, 2H092NA28
, 2H092PA06
