特許

J-GLOBAL ID：200903077606221752

薄膜形成材料の焼成方法

発明者： 佐々木 雅宏 ,  石川 夏也
出願人/特許権者： 田中貴金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-171634
公開番号（公開出願番号）：特開平5-000856
出願日： 1991年06月17日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 ソーダライムガラス等の低軟化点の基板上に薄膜形成材料を塗布し乾燥後、焼成して金属または金属酸化物の薄膜を形成させる際の焼成温度をできる限り低い温度で行うことのできる方法を提供することにある。【構成】 薄膜形成材料を焼成する際の焼成温度が500〜600°Cの時にはガス中の酸素濃度を75vol%以上の雰囲気とし、焼成温度が600°Cを超え700°C以下の時にはガス中の酸素濃度を50vol%以上の雰囲気で焼成することで目的を達成させることができる。

請求項（抜粋）：

薄膜形成材料を焼成する際、焼成温度が500〜600°Cの時にはガス中の酸素濃度を75vol%以上の雰囲気で焼成し、焼成温度が600°Cを超え700°C以下の時にはガス中の酸素濃度を50vol%以上の雰囲気で焼成することを特徴とする薄膜形成材料の焼成方法。

IPC (5件)：

C04B 35/64 ,  C23C 30/00 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 3/12

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/14 C