特許
J-GLOBAL ID：200903077613297667
半導体層製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002439
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190476
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 光半導体デバイス、高速半導体デバイス等に使用される半導体結晶を成長する半導体層製造装置に関し、大面積の半導体結晶層を成長することができ、しかも、半導体結晶層の強度を十分高くすることのできる半導体層製造装置を提供することを目的とする。【構成】 シード部13の形成された基板8が装入される凹部2を有する成長用ボート台1と、底部に線状の開口6が形成されている成長溶液溜4を有し、成長用ボート台1上をスライドする成長用ボート3とをもって構成する。
請求項（抜粋）：
シード部(13)の形成された基板(8)が装入される凹部(2)を有する成長用ボート台(1)と、底部に線状の開口(6)が形成されてなる成長溶液溜(4)を有し、前記成長用ボート台(1)上をスライドする成長用ボート(3)とからなることを特徴とする半導体層製造装置。
IPC (2件)：
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