特許

J-GLOBAL ID：200903077617008090

位相シフトマスクの製造方法

発明者： 大森 清薫
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-323592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-142194
出願日： 1999年11月15日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 シフター部の凹部をドライエッチングで形成後、新たに、フッ酸を主成分とする溶液の蒸気又はフッ酸蒸気を利用し工程が加わる事になり、エッチング、洗浄、乾燥の各工程が必要になって、製造コストの上昇をきたし、マスク量産性の面で製造コストが高くなる。【解決手段】 シフター部の透明基板に設けた凹型の溝は、ドライエッチング時のバイアス電圧を-50V以上、且つ、-85V以下で形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透明基板上に光を遮断する遮光パターンと、光の位相を180 ゚シフトさせるシフター部とを具備しており、且つ、前記シフター部は透明基板に設けた凹型の溝からなり、前記溝開口部の前記遮光パターン部はドライエッチングによりオーバーハング状の突出部を有しており、前記透明基板に設けた凹型の溝の深さは、D=λ/2(n-1)(但し、λは露光の光の波長、nはシフターの屈折率)である位相シフトマスクの製造方法において、前記シフター部の透明基板に設けた凹型の溝は、ドライエッチング時のバイアス電圧を-50V以上、且つ、-85V以下で形成することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/302 J

Fターム (19件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB16 ,  2H095BB31 ,  2H095BB36 ,  2H095BC28 ,  5F004BA08 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004EA10 ,  5F004EB07