パワースイッチングデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-070700
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241993
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】内蔵するフリーホイリングダイオードの逆回復電流をソフトリカバリーさせる。【構成】第1の導電形で高濃度の第1の半導体層1と、第1の半導体層上に形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層2と、第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層3と、第2の半導体層の表面から第3の半導体層を表面において囲む領域及び第3の半導体層を除く領域に形成された第2の導電形で低濃度で浅い第4の半導体層14及び第5の半導体層4と、第4及び第5の半導体層の表面から選択的に形成された第1の導電形で高濃度の第6の半導体層5と、第3の半導体層3の表面と第5の半導体層4の表面と第6の半導体層5の表面とを接続している金属層8とを設ける。

請求項（抜粋）：

第1の導電形で高濃度の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上に形成された第1の導電形で低濃度の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の表面からその内部に選択的に形成された第2の導電形で高濃度の第3の半導体層と、上記第2の半導体層の表面から上記第3の半導体層を表面において囲む領域及び上記第3の半導体層を除く領域に形成された第2の導電形で低濃度で浅い第4の半導体層及び第5の半導体層と、上記第4及び第5の半導体層の表面から選択的に形成された第1の導電形で高濃度の第6の半導体層と、上記第3の半導体層の表面と上記第5の半導体層の表面と上記第6の半導体層の表面とを接続している金属層とを設けたパワースイッチングデバイス。

FI (2件)：

H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 657 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-128576
特開平1-164048
特開昭62-176168

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