特許

J-GLOBAL ID：200903077620443423

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

発明者： 中村 修二 ,  山田 元量
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-306394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125958
出願日： 1993年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 製造方法は、ウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法を改良したもので、窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝11を線状に形成すると共に、この第一の割り溝を窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通してサファイア基板1の一部を除く深さまで形成する工程と、ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅(W1)よりも細い線幅(W2)で第二の割り溝22を形成する工程と、第一の割り溝と第二の割り溝に沿って、ウエハーをチップ状に分離する工程とからなる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において、前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に、この第一の割り溝を窒化ガリウム系化合物半導体層を貫通してサファイア基板の一部を除く深さまで形成する工程と、前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で、第一の割り溝の線幅(W1)よりも細い線幅(W2)を有する第二の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って、前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリリム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/86 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/86