特許

J-GLOBAL ID：200903077621566138

半導体装置の製造方法および露光装置

発明者： 永井 利広 ,  山本 康治 ,  根本 章次 ,  梁取 秀一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357908
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158067
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 製品取得数の減少を抑えつつ不完全なパターンの形成を防止する。【解決手段】 ステッパのマスキングブレード装置40は平面視がL字形状の一対の第一ブレード43および第二ブレード44と、両ブレード43、44とは独立して移動される第三ブレード47とを備えている。ウエハ1のエッジ部2にかかる場所を露光する際には、第一ブレード43、第二ブレード44および第三ブレード47がXY方向に適宜に移動されて、透光窓45がレチクル50のワンショットパターン52の正方形の一部を切り欠いた多角形に設定され、もって、チップ部53がウエハのエッジ部にかからない変形露光像62が形成される。【効果】 ウエハのエッジにかかるチップ部の形成を避けることで、不完全なチップ部の剥離等の発生を防止できる。形成されないチップ部の個数を最小限度に抑えることで、製品の取得数の減少を最小限度に抑制できる。

請求項（抜粋）：

ホトマスクに描画された原画が半導体ウエハのレジスト膜に繰り返し投影露光される露光工程を備えている半導体装置の製造方法において、前記ホトマスクの原画の前記半導体ウエハへの投影範囲が透光窓によって正方形、長方形、正方形または長方形の一部が切り欠かれた形状に画成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/22

FI (2件)：

G03F 7/22 H ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (4件)：

5F046BA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB23 ,  5F046DA07