特許
J-GLOBAL ID：200903077623826358
フラッシュメモリにおける過消去セルの修復方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296530
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290596
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、速度及び電力消費の両面に関して最適化され、欠陥メモリを廃棄したり、冗長回路素子を使用したり、さらには誤りコードセルに割当てられる領域を大きくする必要がなく、しかもメーカー試験終了後においても有効であるフラッシュメモリの過消去セルを修復する方法を提供することにある。【構成】 本発明は、第1のセル及び第2のセルを持つカラムを有するフラッシュメモリアレイ中の過消去セルを、まず第1のセルが過消去されているかどうかを確認して、過消去されていれば第1のセルにプログラミングパルスを印加し、第2のセルが過消去されているかどうかを確認して、過消去されていれば第2のセルにプログラミングパルスを印加し、一方のセルが過消去されていた場合はプログラミングパルス電圧をインクリメントする操作を、カラム上のどのセルも過消去されていないと確認されるまで繰り返すことにより修復するものである。
請求項（抜粋）：
第1のセル及び第2のセルを持つカラムを有するフラッシュメモリアレイ中の過消去セルを修復する方法において:(a)カラムが過消去セルを含む場合に、プログラミング電圧レベルを有するプログラミングパルスを第1のセルに印加するステップと;(b)カラムが過消去セルを含む場合に、プログラミングパルスを第2のセルに印加するステップと;(c)カラムが過消去セルを含む場合に、プログラミング電圧レベルを第1の大きさだけインクリメントするステップと;(d)カラムが修復されるまで上記ステップ(a)及至(c)を繰り返すステップと;よりなる過消去セルを修復する方法。
引用特許：
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