特許
J-GLOBAL ID：200903077634929817
ろう材層を有する半導体基体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276393
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107047
出願日： 1997年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 支持板への接着強度を損なうことなくウェハの曲がりを僅かにして金属層の数を削減する。【解決手段】 半導体基体1の背面3上にクロム層4をスパッタリングし、このクロム層4に錫層5を蒸着する。その後半導体基体1を金属製支持板2と250°Cより高い温度に加熱することにより直接、即ち更に添加物を加えることなくろう接する。
請求項（抜粋）：
金属製支持板(2)に一連の金属層を介してろう接可能のシリコンから成る半導体基体(1)において、半導体基体の背面(3)にクロム層(4)を施し、このクロム層(4)に錫層(5)を施すことを特徴とする半導体基体。
引用特許：
前のページに戻る
