特許

J-GLOBAL ID：200903077638840721

半導体装置作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-170927
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283550
出願日： 1978年10月07日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 絶縁ゲイト型電解効果トランジスタにおいて、ゲイト絶縁膜と非単結晶半導体チャネル領域の改善を図る。【構成】 絶縁ゲイト型電解効果トランジスタを完成あるいは大部分完成した後、水素が添加された500°C以下の雰囲気で、0.1原子%以上の水素でゲイト絶縁膜及びチャネル領域の不対結合手を中和した後、不対結合手を中和した水素を急冷により固定する。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのゲイト絶縁層と接するチャネル領域部分が非単結晶半導体よりなる半導体装置において、該チャネル領域部分にPまたはN型の導電型を示す不純物を2×1019cm-3以下の濃度で有せしめて、前記半導体装置完成後または大部分完成させた後に、水素が添加された300〜500°Cの雰囲気の中に浸すことにより、水素の濃度を0.1原子%以上として、前記半導体装置の前記チャネル領域部分及び絶縁物中の不対結合手に前記水素を添加し、中和すると共に、前記チャネル領域部分と前記絶縁物との界面に存在する界面準位密度を低下させることを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-116873
  
• 特開昭55-050664