特許
J-GLOBAL ID：200903077644267162
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068843
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283518
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 無機シランを原料に用いた化学気相成長による半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコンウェファ11の表面に絶縁膜を形成するに当たり、この絶縁膜を形成しようとする下地表面を有機化合物で処理する。次いで絶縁膜を無機シランを原料に用いた化学気相成長によって形成する。このように下地表面を有機化合物で処理することにより埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、絶縁膜を形成しようとする下地表面を有機化合物で処理し、しかる後にこの絶縁膜を、無機シランを原料として用いる化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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