特許

J-GLOBAL ID：200903077651202025

高純度IrまたはRuスパッタリングターゲットの製造方法

発明者： 森 暁
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-041131
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【課題】 高純度IrまたはRuスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】(1) Ir原料を電子ビーム溶解し、得られたIrインゴットを金属容器に入れて熱間圧延する純度:99.999重量%以上の高純度Irスパッタリングターゲットの製造方法。(2) Ru原料を電子ビーム溶解し、得られたRuインゴットを金属容器に入れて熱間圧延する純度:99.999重量%以上の高純度Ruスパッタリングターゲットの製造方法。

請求項（抜粋）：

Ir原料を電子ビーム溶解し、得られたIrインゴットを金属容器に入れて熱間圧延することを特徴とする高純度Irスパッタリングターゲットの製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/14 D ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-107728
  
• 特開平4-218919