特許

J-GLOBAL ID：200903077656596340

半導体装置の製造方法

発明者： 青木 秀充 ,  藤岡 弘文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357780
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164514
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】素子の信頼性を損なうことなく、金属酸化物材料の特性を最大限に引き出す方法を提供する。たとえば容量素子においては、充分に高い誘電率を有する容量膜や、充分に高い導電性を有する電極膜を形成する方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜3中に接続孔を設けた後、密着膜5および下部電極膜6を形成し、その上に容量絶縁膜7を形成する。この容量絶縁膜7にレーザ光を照射して結晶化する。その後、上部電極膜を形成し、容量素子を完成する。

請求項（抜粋）：

凹部または凸部の設けられた半導体基板表面に非晶質の金属酸化物を堆積した後、レーザ光の照射により該金属酸化物を結晶化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (18件)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083FR02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34