特許
J-GLOBAL ID：200903077665435286
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346534
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208992
出願日： 1988年02月01日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路やパワートランジスタで発生した熱を速やかに広げ、局部的に電気的物性が劣化あるいは低下することを防ぐ。【構成】 半導体集積回路またはパワートランジスタが予め形成された上表面に炭素膜がフアイナルコートとして設けられたことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路またはパワートランジスタが予め形成された上表面に炭素膜がフアイナルコートとして設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/314
, H01L 21/31
, C23F 4/00
