特許
J-GLOBAL ID：200903077675655535
半導体ウエハ処理方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215115
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055340
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】表面処理された半導体ウエハが、どの表面処理工程で行われたかを識別できるようにする。【構成】半導体ウエハ処理装置R(図4)のウエハ押さえ26に、表面処理工程毎に異なる形状の識別突起41〜47等を形成し(図1)、或いはウエハ押さえ26の突起27の形状を表面処理工程毎に異ならせ(図2)、半導体ウエハ13の周囲に、そのウエハ押さえ26の形状を転写するようにしている。【効果】トラブルが起きたときに、その半導体ウエハがどの工程で表面処理されたかが、その半導体ウエハを観察することで一目で判別できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面に、エッチング、スパッタリング、蒸着等の表面処理技術により、表面処理を施すに当たり、この表面処理と同時に、その表面処理がどの工程で行われたかを明示するための識別表示を、前記表面処理技術の手段で、前記半導体ウエハの周囲に施すことを特徴とする半導体ウエハ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/02
, H01L 21/302
