半導体ウェハのダイシング方法およびダイシング装置ならびにダイオードペレットの製造方法およびダイオードペレット

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-216416
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063993
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】半導体素子の組み立て工程における作業効率の向上、ダイシング時の半導体素子の損傷の低減、半導体ウェハの利用効率の向上を実現する。【構成】サブストレート11の素子形成面10Aの側に積層されたエピタキシャル層12に所定のピッチで格子状に配列されるようにドープ部13および電極部14を形成し、ドープ部13および電極部14の周囲に絶縁層15、所定の幅のスクライブライン領域17が配置した構成のダイオード素子を形成した半導体ウェハ10に対して、素子形成面10Aのスクライブライン領域17に対応するように、ウェハ裏面10Bの側からダイシングブレード51でダイシングを行うことにより、ダイオードペレットDを切り出す。ダイオードペレットDは、素子形成面10Aの側を底部とし、ウェハ裏面10Bの側を頂部とする略角錐台形を呈する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が一括して形成された半導体ウェハにおいて素子形成面とは反対側のウェハ裏面側からダイシングを行うことを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。

FI (3件)：

H01L 21/78 L , H01L 21/78 F , H01L 21/78 C

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