特許
J-GLOBAL ID:200903077684579132

フォトニック結晶レーザおよびその製造方法および光伝送システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 植本 雅治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-075262
公開番号(公開出願番号):特開2006-261316
出願日: 2005年03月16日
公開日(公表日): 2006年09月28日
要約:
【課題】 垂直放射光の上部電極での吸収を少なくし、低い閾値電流で発振させることができ、電力利用効率も高めることの可能なフォトニック結晶レーザを提供する。【解決手段】 基板上に、下部クラッド層と、発光層と、上部クラッド層と、上部電極とを備え、下部クラッド層と上部クラッド層との間のいずれかの層中又は層の界面に、高屈折率材料からなる高屈折率領域と高屈折率領域よりも小さい屈折率をもつ低屈折率孔とにより構成される2次元フォトニック結晶構造を備え、基板と下部クラッド層との間のいずれかの層に接続される下部電極を備えるフォトニック結晶レーザにおいて、基板と下部クラッド層との間に下部半導体分布多層膜反射鏡を備え、上部クラッド層と上部電極との間に上部半導体分布多層膜反射鏡を備え、上部電極が設けられていない領域に、または、光出力用に設けられた上部電極の開口部に、反射率の小さい低反射率構造を備えている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に、下部クラッド層と、発光層と、上部クラッド層と、上部電極とを順次備え、下部クラッド層と上部クラッド層との間のいずれかの層中又は層の界面に、高屈折率材料からなる高屈折率領域と高屈折率領域よりも小さい屈折率をもつ低屈折率孔とにより構成される2次元フォトニック結晶構造を備え、基板と下部クラッド層との間のいずれかの層に接続される下部電極を備えるフォトニック結晶レーザにおいて、基板と下部クラッド層との間に下部半導体分布多層膜反射鏡を備え、上部クラッド層と上部電極との間に上部半導体分布多層膜反射鏡を備え、上部電極が設けられていない領域に、または、光出力用に設けられた上部電極の開口部に、反射率の小さい低反射率構造を備えていることを特徴とするフォトニック結晶レーザ。
IPC (2件):
H01S 5/12 ,  H01S 5/183
FI (2件):
H01S5/12 ,  H01S5/183
Fターム (26件):
5F173AB90 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AC70 ,  5F173AD05 ,  5F173AD11 ,  5F173AD16 ,  5F173AG05 ,  5F173AH02 ,  5F173AH03 ,  5F173AH04 ,  5F173AH08 ,  5F173AK21 ,  5F173AL10 ,  5F173AL13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AP75 ,  5F173AQ03 ,  5F173AR23
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
引用文献:
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