特許

J-GLOBAL ID：200903077688190485

プラズマCVD装置及び薄膜成膜方法

発明者： 川島 敦道
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315600
公開番号（公開出願番号）：特開平11-152576
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置を用いて薄膜を成膜するにあたって、プラズマでの消費電力を正確に制御できるようにし、所望する物性の薄膜を安定に形成できるようにする。【解決手段】 プラズマCVD装置に、反応ガスのプラズマのインピーダンスを測定するプラズマインピーダンス測定手段と、投入する電力を制御する投入電力制御手段とを設ける。そして、プラズマインピーダンス測定手段によって測定されたインピーダンスに基づいて、投入する電力を上記投入電力制御手段によって制御する。

請求項（抜粋）：

反応ガスのプラズマのインピーダンスを測定するプラズマインピーダンス測定手段と、投入する電力を制御する投入電力制御手段とを備え、上記プラズマインピーダンス測定手段によって測定されたインピーダンスに基づいて、投入する電力を上記投入電力制御手段によって制御することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00 ,  G05F 1/652

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/00 ,  G05F 1/652