特許
J-GLOBAL ID：200903077690081952
Ti-TiN積層膜の成膜方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264770
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118833
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【目的】 半導体デバイスに有害なパーティクルの発生を低減し、デバイスの生産性が損なわれないようにしたTi-TiN積層膜の成膜方法および装置を提供することを目的としている。【構成】 少なくとも2つのチャンバーを備えた成膜装置を用いて、Tiターゲットのスパッタリングを介してTiまたはTiN膜を成膜する方法において、各チャンバー内のTiまたはTiNの成膜を1乃至複数回毎に入れ替えて行う。成膜をマグネトロンスパッタリング方式で行う場合、カソードマグネットに、Tiターゲット部分に形成する磁場を変化する手段を付設し、TiまたはTiN膜に対応させて、カソードマグネットの磁場分布を変化させる。
請求項（抜粋）：
TiとTiNの積層膜を基板表面に形成するために、少なくとも2つのチャンバーを備えた成膜装置を用い、前記少なくとも2つのチャンバー内で、Tiターゲットのスパッタリングを介してTiまたはTiN膜を成膜する方法において、前記少なくとも2つのチャンバーを各チャンバー内の、TiまたはTiNの成膜を1乃至複数回毎に入れ替えることを特徴とするTi-TiN積層膜の成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/06
, C23C 14/34
, C23C 14/35
