特許
J-GLOBAL ID：200903077693183209
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112336
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の層間絶縁膜に関し、カバレジが良く且つ誘電率の小さな有機絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 ジパラキシリレンガスを熱分解して得たパラキシリレンラジカルを第1の配線層が形成してある半導体基板上に導入し、第1の配線層上で重合させてポリパラキリシレンの薄膜を形成した後にこの薄膜を弗素化して弗素化ポリパラキリシレンとし、この薄膜を層間絶縁膜として使用することを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
ジパラキシリレンガスを熱分解して得たパラキシリレンラジカルを第1の配線層が形成してある半導体基板上に導入し、該第1の配線層上で重合させてポリパラキシリレンの薄膜を形成した後に該薄膜を弗素化して弗素化ポリパラキシリレンとし、該薄膜を層間絶縁膜として使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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