特許

J-GLOBAL ID：200903077694157554

半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法

発明者： ステファン・アラン・コーヘン ,  ダニエル・チャールズ・エデルステイン ,  アルフレッド・グリル ,  ジュリジュ・ロスティスラブ・パラシュザック ,  ヴィシュヌバイ・ヴィッタルバイ・パテル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173771
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064591
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 集積回路チップ上の1レベル以上の導体を分離する絶縁体としてのダイヤモンド・ライク炭素を構造の1つとして備える半導体デバイスを提供する。【構成】 露出した金属の第1の層16を上面14に有する基板12と、基板12の上面14上に形成されたダイヤモンド・ライク炭素物質の絶縁体層20と、絶縁体層20上に複数の導体を形成するようにパターニングされた金属の第2の層22とを備える。

請求項（抜粋）：

集積回路半導体デバイス上の1つ以上のレベルの導体を分離する絶縁体を有する半導体デバイスであって、露出した金属の第1の層を上面に有する基板と、前記基板の前記上面上に形成されたダイヤモンド・ライク炭素物質の絶縁体層と、前記絶縁体層上に複数の導体を形成するようにパターニングされた金属の第2の層と、を備える半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-196833
  
• 特開平2-023639
  
• 特開平1-023991