特許
J-GLOBAL ID：200903077695043668
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255772
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体ウエハからダイシングされたチップを分離する処理を含む半導体装置の製造方法に関し、チップの確実なピックアップを図ることを目的とする。【構成】 ホルダ32のUVテープ上に保持された半導体ウエハ31をブレード切断部23で所定大のチップに切断し、洗浄部24で洗浄した後に、テープ硬化部25でUVテープにUV光を照射して硬化させる。切断、硬化の処理で伸長したUVテープがチップ剥離部26で冷却器36により冷却されて、チップ周囲に剥離を形成してチップの剥離強度を低下させ、チップのピックアップを行わせる構成とする。
請求項（抜粋）：
所定処理で硬化する接着保持部材上に所定強度で接着保持された半導体ウエハを、該接着保持部材の所定深さまで切り込んで所定大きさのチップに切断し、該切断により該接着保持部材を伸長させる工程と、該接着保持部材を硬化させると共に、該硬化時に該接着保持部材を伸長させる工程と、硬化した該接着保持部材を縮ませて、該縮み力で該接着保持部材と前記チップとの接着部分の所定部分を剥離させる工程と、該チップごとに該接着保持部材よりピックアップする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/78 P
, H01L 21/68 E
, H01L 21/78 F
, H01L 21/78 Y
