特許

J-GLOBAL ID：200903077708138388

集束イオンビーム装置用標準試料

発明者： 鈴木俊明
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264220
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】従来よりも定量性が高く、しかも集束イオンビームによるエッチング効果を受けにくいFIB用標準試料を提供する。【解決手段】FIBのデポジション機能により、原子番号が充分に離れた少なくとも2種類の物質を用いて、FIBの分解能に近い値の膜厚の膜から膜厚のより厚い膜へと膜厚が所定の割合で徐々に増加していくように多層膜を構成した後、その多層膜の断面を露出させ、露出面をFIBで観察するようにした。また、多層膜の一部にFIBによる薄膜加工を施した後、TEMによって多層膜構造の断面撮影を行なって、多層膜の各膜厚を予め正確に測定するようにした。

請求項（抜粋）：

複数種類の物質を順次所定の膜厚で堆積させて多層膜とした後、該多層膜の断面を露出させたことを特徴とする集束イオンビーム装置用標準試料。

IPC (2件)：

G01N 1/00 102 ,  G01N 23/225

FI (2件)：

G01N 1/00 102 B ,  G01N 23/225

Fターム (21件)：

2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001FA02 ,  2G001FA30 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA12 ,  2G001LA02 ,  2G001MA05 ,  2G001NA03 ,  2G001NA15 ,  2G001NA17 ,  2G001RA03 ,  2G001RA04 ,  2G001RA08