特許

J-GLOBAL ID：200903077708432030

半導体レーザ素子とその製造方法

発明者： 井手 大輔
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172179
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022565
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジスト技術といった複雑な工程を必要とせず、簡単なプロセスで、レーザ端面上に二つの異なる反射率を有する誘電体薄膜領域を形成することができ、高歩留まりで、良好な雑音特性をもつ半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】 エッチングによって活性層3とクラッド層2及び4とに段差を形成した後、1回の誘電体薄膜形成工程において、共振器端面の活性層3近傍部分の反射率が30%以上に、その他の部分の反射率が20%以下になるように、レーザ端面上に二つの異なる膜厚を有する誘電体薄膜領域10を形成することによって、レーザ素子に入射するディスクからの戻り光を、レーザへの入射部分、即ち端面が低反射率である基板部分1にほとんど吸収させ、活性層4にはほとんど吸収させずに、戻り光雑音を低減する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板と、前記半導体基板上に形成された一導電型クラッド層と、活性層と、他導電型クラッド層と、他導電型キャップ層と、を有する半導体レーザ素子において、レーザ光出射端面における前記活性層と、前記クラッド層と、に段差が設けられ、前記レーザ光出射端面に誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。