特許
J-GLOBAL ID：200903077709921264
CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009100
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221028
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は堆積反応によって基体に薄膜などを堆積させる装置に於て、その堆積量を逐次モニタすることで、これを正確に管理し、また後の工程で成膜量を別途検査する等の必要を減じ、生産性を向上したCVD装置を提供することである。【構成】堆積反応中の基体の温度を測定する手段と反応槽内の反応ガス等の分析手段を備え、CVD堆積反応の進行を逐次モニタする演算手段を備え、所定のCVD堆積工程が正常に行われたことを判定、表示、または記録手段を備えたCVD装置。【効果】所定のCVD堆積工程が正常に行われたことを判定する為の検査工程を別途設けることが無いので生産性が高い効果がある。
請求項（抜粋）：
堆積反応中の基体の温度と反応槽内の気体の分析とを行い、以てCVD反応による堆積反応の進行を知る手段を備えたことを特徴としたCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/66
