特許
J-GLOBAL ID:200903077710199777

光変調デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 栗原 浩之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-182464
公開番号(公開出願番号):特開2001-013426
出願日: 1999年06月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 反射面の曲率変化を大きして集光性能を向上させてSN比を向上させると共に小型、省スペース化を可能とし、且つ製造効率を向上することのできる光変調デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に駆動素子50を形成する工程と、駆動素子50上に絶縁膜12を形成する工程と、駆動素子50との接続をするための接続端子部58を絶縁膜12に形成する工程と、圧電素子30の何れか一方の電極に接続される駆動用配線53を接続端子部58から引き出す工程と、駆動素子50に対応する位置に支持部材31aを介して圧電素子30を形成するための犠牲層70をパターン形成する工程と、犠牲層70上に圧電素子30をパターン形成する工程と、圧電素子30の何れか一方の電極と駆動用配線53とをそれぞれ接続する第1接続用配線36を形成すると共に他方の電極に接続される第2接続用配線37を形成する工程と、犠牲層70を除去して支持部材31aを形成する工程とを有することにより、圧電素子30と駆動素子50とを接続する配線を比較的容易に形成できる。
請求項(抜粋):
圧電体層及びこれを挟持する第1及び第2の電極とからなる圧電素子を有すると共に光を反射するミラー膜構造を有するミラー要素と、該ミラー要素に対応して基板上に設けられた駆動素子とを有する光変調デバイスの製造方法において、前記基板上に前記駆動素子を形成する工程と、前記駆動素子上に絶縁膜を形成する工程と、前記駆動素子との接続をするための接続端子部を前記絶縁膜に形成する工程と、前記圧電素子の何れか一方の電極に接続される駆動用配線を前記接続端子部から引き出す工程と、前記駆動素子に対応する位置に支持部材を介して前記圧電素子を形成するための犠牲層をパターン形成する工程と、該犠牲層上に前記圧電素子をパターン形成する工程と、当該圧電素子の何れか一方の電極と前記駆動用配線とをそれぞれ接続する第1接続用配線を形成すると共に他方の電極に接続される第2接続用配線を形成する工程と、前記犠牲層を除去して前記支持部材を形成する工程とを有することを特徴とする光変調デバイスの製造方法。
IPC (3件):
G02B 26/08 ,  H01L 41/09 ,  H04N 5/74
FI (3件):
G02B 26/08 E ,  H04N 5/74 B ,  H01L 41/08 M
Fターム (14件):
2H041AA04 ,  2H041AB12 ,  2H041AB38 ,  2H041AC08 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ08 ,  5C058AA18 ,  5C058AB04 ,  5C058BA01 ,  5C058BA05 ,  5C058BA33 ,  5C058BA35 ,  5C058EA13 ,  5C058EA27

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