特許

J-GLOBAL ID：200903077713793564

結晶物品の製造方法及び製造装置並びそれに用いられる温度測定装置及びフィードスルー

発明者： 雨宮 光陽
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272991
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 過冷却領域の発生や増大を抑制し、均一な結晶成長を行う。【解決手段】 本発明は、原料を収容する坩堝と前記坩堝に収容された前記原料を融解する為の加熱器と前記坩堝を前記加熱器に対して相対的に移動させる移動手段とを有する結晶成長炉を備え、前期坩堝内で融解された前記原料を冷却し結晶成長させる結晶物品の製造装置において、るつぼやヒーターの温度変化或いは熱流速の変化から潜熱の発生を検出するとともに、結晶成長速度及び固液界面の位置を求め、成長速度が所定の値になるようにるつぼの降下速度を制御したり、温度分布を制御したりする。

請求項（抜粋）：

原料を収容する坩堝と前記坩堝に収容された前記原料を融解する為の加熱器と前記坩堝を前記加熱器に対して相対的に移動させる移動手段とを有する結晶成長炉を備え、前記坩堝内で融解された前記原料を冷却し結晶成長させる結晶物品の製造装置において、前記原料の温度を検出する検出器と、前記検出器により検出された温度変化に基いて、前記結晶成長炉を制御することを特徴とする結晶物品の製造装置。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02

FI (3件)：

C30B 11/00 Z ,  C30B 29/12 ,  G02B 1/02