特許

J-GLOBAL ID：200903077714174337

化学気相成長方法および装置

発明者： 千々岩 雅弘 ,  小泉 元
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041374
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 SiO2のCVD 方法に関し,HAZEの発生を防止してエッチング残渣が生じないようなSiO2膜を得ることを目的とする。【構成】 SiH4とN2O を用いて,反応管内に載置され且つ加熱された基板上にSiO2膜をCVD するに際し,SiH4とN2O を該反応管から離れた位置で混合した後,該反応管に導入する。また, 配管内を反応ガスによりパージする際,SiH4とN2Oとが混合されたガスを用いて行う。また, 反応ガス圧力を 1.4 Torr 以上の減圧状態に設定する。また, 混合ガスをV9を経由して反応管1に接続する反応ガス供給ラインと,窒素をV8を経由してV9と反応管との中間位置に接続する窒素パージラインと,反応ガス供給ラインの反応ガス供給側とV9との中間位置よりV10を経由して反応管の排気口に接続する反応ガスパージ用のベントラインとを有し,V8とV9とV10とが相互に近接して配置されるように構成する。

請求項（抜粋）：

反応ガスとしてモノシラン(SiH4)と一酸化化二窒素(N2O)を用いて,反応管内に載置され且つ加熱された基板上に二酸化シリコン(SiO2)膜を減圧化学気相成長(CVD) するに際し,SiH4とN2O を該反応管から離れた位置で混合した後,該反応管に導入することを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  C30B 31/16 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/205