特許

J-GLOBAL ID：200903077716174679

半導体レーザー

発明者： 平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302066
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144993
出願日： 1996年11月13日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 ゲインガイド型構造の半導体レーザーにおいて、横モードの単峰化を図ったこの種テーパーストライプ型半導体レーザーにおいて、高出力化をはかってストライプ長を大とした場合においても、しきい値電流Ithの低減化、横モードの安定化等をはかることができるようにする。【解決手段】 活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイド型構造を有する半導体レーザー、すなわちストライプ部とその外側との屈折率差Δnが、Δn≦5×10-4とした半導体レーザーにおいて、ストライプ部19の幅が、少なくとも一方の光出射端面S1 側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側に幅広部が形成され、この幅広部に少なくとも1つの幅狭ネック部19ncが形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

活性層に対する電流注入領域がストライプ状をなし、ゲインガイド型構成による半導体レーザーにおいて、上記ストライプの幅が、少なくとも出力光を取り出す端面側で幅狭とされ、これよりストライプ長方向の中央部側に幅広部が形成され、該幅広部に少なくとも1つの幅狭ネック部が形成されてなることを特徴とする半導体レーザー。