特許

J-GLOBAL ID：200903077717420975

化合物半導体ウェーハ研磨用組成物およびそれによる化合物半導体研磨方法

発明者： 田中 弘明 ,  谷脇 吏 ,  井上 裕明
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237328
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068438
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、化合物半導体ウェーハの表面部分の鏡面研磨加工を行なうための研磨用組成物およびそれを用いた研磨の方法に関する。【構成】過酸化物またはペルオキソ酸化合物と、水溶性アミンとを含み、pHが7.0〜10.5の範囲にあり、かつその過酸化物価が3ミリモル〜1500ミリモル、水溶性アミンの含有量が0.01モル/kg〜0.5モル/kgの範囲にあることを特徴とする化合物半導体ウェーハ研磨用組成物を提供する。水溶性アミンは、構造中に1個あるいはそれ以上のアルコール性水酸基を持つことが好ましく、特に好ましくはトリエタノールアミンである。

請求項（抜粋）：

過酸化物またはペルオキソ酸化合物と、水溶性アミンとを含み、pHが7.0〜10.5の範囲にあり、かつその過酸化物価が3ミリモル〜1500ミリモル、水溶性アミンの含有量が0.01モル/kg〜0.5モル/kgの範囲にあることを特徴とする化合物半導体ウェーハ研磨用組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/06

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 13/06

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17