特許
J-GLOBAL ID：200903077717767231
積層体のへき開方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258009
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107380
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 平滑性、垂直性の優れた端面が容易に形成でき、光損失の少ない高効率の固体電子素子のの製造方法を提供すること。【解決手段】 電子素子を構成する積層体を、熱膨張係数の異なる材料を用いて構成し、この積層体に温度変化を与え、熱膨張係数差に基づく応力により、素子を自然へき開させる方法およびこの方法により製造される素子。
請求項（抜粋）：
基板上にこの基板とは熱膨張係数の異なる半導体または絶縁体材料を積層して積層体を得る工程と、この積層体に温度変化を与えるることにより、前記積層体に歪み応力を生じさせる工程と、この歪み応力により、前記積層体を自然へき開させる工程とを具備したことを特徴とする積層体のへき開方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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