特許
J-GLOBAL ID：200903077717840818
多孔部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031198
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315316
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 μm範囲からサブμm範囲の穴直径を得ることができかつ簡単に実施可能な多孔部品の製造方法を提供する。【構成】nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板1の第1の表面2に電気化学的エッチングにより穴4をこの第1の表面2に対して垂直に形成してパターン化された層7を作り、穴4の深さが完成部品の厚みにほぼ相当する深さに達しとき、穴4の断面積が増大しパターン化された層7が部品を形成する板として分離されるようにエッチングのプロセスパラメータを変更する。
請求項（抜粋）：
nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板(1)の第1の表面(2)に電気化学的エッチングにより穴(4)が第1の表面に対して垂直に形成され、それによりパターン化された層(7)が生成され、その際電気化学的エッチングは基板が陽極として接続されている電解液内で行われ、この電解液内で第1の表面(2)が電解液に接触し、エッチング除去に影響する電流密度が調整され、穴(4)の深さがほぼ完成部品の厚みに相当する深さに達したとき、穴(4)の断面積が増大しパターン化された層(7)が部品を形成する板(6)として分離されるようにエッチングのプロセスパラメータが変更されることを特徴とする多孔部品の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, C25F 3/12
, C30B 33/10
, G02B 5/20
, H01P 1/20
