特許
J-GLOBAL ID：200903077721829012
光電変換素子の製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-339190
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172048
出願日： 2002年11月22日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】色素増感太陽電池などの光電変換素子をなす基板を接合、封止する際に、簡単な操作により、耐久性、安全性等に優れた封止が行われるようにすることにある。【解決手段】作用極をなす第1の基板1と対極をなす第2の基板5とを重ね合わせ、その周縁部において封止して、光電変換素子を製造する際に、いずれか一方もしくは両方の基板1、5の周縁部にガラスフリット層11を配し、いずれかの基板1(5)を透過して該ガラスフリット層11にレーザ光12を照射し、ガラスフリット層11を溶融して基板を接合、封止する。ガラスフリットを含むペーストを塗布してガラスフリット層を形成することができ、レーザ光の波長には、いずれかの基板1(5)における透過率が50%以上となるような波長域にあるものを選択する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
作用極をなす第1の基板と対極をなす第2の基板とを重ね合わせ、その周縁部において封止して、光電変換素子を製造する際に、
いずれか一方もしくは両方の基板の周縁部にガラスフリット層を配し、いずれかの基板を透過して該ガラスフリット層にレーザ光を照射し、ガラスフリット層を溶融して第1および第2の基板を接合、封止することを特徴とする光電変換素子の製法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA03
, 5F051FA17
, 5F051GA03
, 5F051GA20
, 5F051KA09
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB04
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC04
, 5H032EE07
, 5H032HH07
