特許

J-GLOBAL ID：200903077729249937

誘電体分離半導体装置及びその製造方法

発明者： 寺島 知秀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313257
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188438
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧の半導体装置及びその製造方法を得る。【構成】 誘電体層3は半導体基板1とn- 型半導体層2を誘電体分離している。n- 型半導体層2の上面にn- 型半導体層2より低抵抗のn+ 型半導体領域4が、またn+ 型半導体領域4を取り囲むようにp+ 型半導体領域5が形成されている。誘電体層3は、比較的厚い第1の領域3aと、比較的薄い第2の領域3bとに区分される。n+ 型半導体領域4は、第1の領域3aの上方において、第1の領域3aより狭い範囲で形成されている。【効果】 第1の半導体層の直下の誘電体層を厚くするとともに、他の部分の誘電体層の厚さを制限することによって、RESURF効果を低減せず、さらに高耐圧を得る事が可能となる。

請求項（抜粋）：

電極体と、前記電極体上に形成され、第1の厚さ及び第1の誘電率を有する第1の領域と、第2の厚さ及び第2の誘電率を有する第2の領域と、を含む誘電体層と、前記誘電体層上に形成された第1導電型で比較的高抵抗の第1の半導体層と、前記第1の領域の上方で、前記第1の半導体層の上面内に選択的に形成された第1導電型で比較的低抵抗の第2の半導体層と、前記第2の領域の上方で、前記第1の半導体層の上面内に選択的に形成された第2導電型の第3の半導体層と、前記第2の半導体層に電気的に接続された第1の電極と、前記第3の半導体層に電気的に接続された第2の電極と、を備え、前記第1の厚さを前記第1の誘電率で除した値が、前記第2の厚さを前記第2の誘電率で除した値よりも大きい誘電体分離半導体装置。