特許

J-GLOBAL ID：200903077729635632

ガス貯蔵方法及びガス貯蔵プラント

発明者： 国府田 康雄 ,  奥井 智治
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社 ,  東京瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 山田 恒光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350176
公開番号（公開出願番号）：特開2001-165397
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 ガスの貯蔵経済性の向上を図る。【解決手段】 導管8を流通する天然ガスGの一部を、圧縮機33により散気管40から生成反応器31内の媒質Wに通気させて生成反応器31の内圧を昇圧し、冷媒源43から冷却管41へ冷媒を連続的に流通させて生成反応器31内を冷却する。これにより、天然ガスGと媒質Wとから液化ガスよりも高密度なハイドレートHを生成し、貯蔵すべき天然ガスGを減容する。また、熱媒源44から加熱管42へ熱媒を連続的に流通させて生成反応器31内を昇温させ、ハイドレートHを天然ガスGと媒質Wとに分離し、この天然ガスGを、管路39,36,46を介して導管8に送給する。

請求項（抜粋）：

貯蔵すべきガスと反応してハイドレートを生成し得る媒質を生成反応器に貯留し、ガスを貯蔵する際に、媒質にガスを通気させて生成反応器の内圧を昇圧するとともに、生成反応器内を冷却してガスと媒質とのハイドレートを生成し、ガスを送出する際に、生成反応器内を昇温あるいは減圧させてハイドレートをガスと媒質とに分離することを特徴とするガス貯蔵方法。

IPC (3件)：

F17C 11/00 ,  C10L 3/06 CSK ,  F17C 9/02

FI (3件)：

F17C 11/00 B ,  F17C 9/02 ,  C10L 3/00 CSK A

Fターム (2件)：

3E072EA10 ,  3E073DB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-316795
  
• ハイドレート製造用製氷方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-043787   出願人：株式会社アイ・エイチ・アイプランテック
• 特開平4-316795
  
• 特開平4-316795
  
• 特開平4-316795