特許

J-GLOBAL ID：200903077730291700

多結晶シリコンの製造方法

発明者： 小松 善徳 ,  石井 正明 ,  高綱 和敏 ,  猿渡 康裕 ,  石川 延宏 ,  ▲廣▼田 大助
出願人/特許権者： 東燃化学株式会社 ,  東亞合成化学工業株式会社
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356643
公開番号（公開出願番号）：特開平6-191818
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 反応器内壁へのシリコンの析出や、原料ガスが通過する分散板オリフィスのシリコン析出による目詰まりなどが充分に抑制され、長期間安定した操業が可能で、高品質の製品を安定して得ることのできる多結晶シリコンの製造方法を提供する。【構成】 流動層反応器内でシリコン粒子を流動化させておき、該反応器内にシラン化合物及び希釈ガスを該反応器の下部に設けたガス分散板を介して供給し、シラン化合物の熱分解により生成したシリコンを前記シリコン粒子表面に析出させて粒状の多結晶シリコンを製造する方法において、前記分散板の中央部下面に対して流量調節弁を付設した複数のシラン化合物噴出ノズルの各先端を、及び前記分散板の周縁部下面に対して流量調節弁を付設した複数の希釈ガス噴出ノズルの各先端を、それぞれ対向配置させ、それらの各ノズルを通してシラン化合物及び希釈ガスを各ノズルに付設した流量調節弁でその流量を調節しながら前記分散板下面に吹き付けることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

請求項（抜粋）：

流動層反応器内でシリコン粒子を流動化させておき、該反応器内にシラン化合物及び希釈ガスを該反応器の下部に設けたガス分散板を介して供給し、シラン化合物の熱分解により生成したシリコンを前記シリコン粒子表面に析出させて粒状の多結晶シリコンを製造する方法において、前記分散板の中央部下面に対して流量調節弁を付設した複数のシラン化合物噴出ノズルの各先端を、及び前記分散板の周縁部下面に対して流量調節弁を付設した複数の希釈ガス噴出ノズルの各先端を夫々対向配置させ、それらの各ノズルを通してシラン化合物及び希釈ガスを各ノズルに付設した流量調節弁でその流量を調節しながら前記分散板下面に吹き付けることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。