特許
J-GLOBAL ID：200903077738567720
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043597
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 裏面電極を半田で被覆する際にフィンガー部上に半田玉が発生したり、タブ上に半田溜まりが発生したり、このような半田溜まりによってレーザーカットの不具合が発生するという問題があった。【解決手段】 半導体基板の表裏面側に異なる導電領域を形成し、この導電領域表面にバスバー部とそれと直交する複数のフィンガー部とからなる電極を形成し、この電極を半田で被覆した太陽電池において、半導体基板の裏面側の複数のフィンガー部のピッチを1〜3mmに設定したり、バスバー部全体の幅が、このバスバー部に半田付される銅箔の幅より大きく、かつこのバスバー部内に複数のスリットを設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表裏面側に異なる導電領域を形成し、この導電領域表面にバスバー部とそれと直交する複数のフィンガー部とからなる電極を形成し、この電極を半田で被覆した太陽電池において、前記半導体基板の裏面側の複数のフィンガー部のピッチを1〜3mmに設定したことを特徴とする太陽電池。
Fターム (9件)：
5F051DA03
, 5F051EA09
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051FA13
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA22
, 5F051GA04
