プラズマ処理装置及び装置構成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185875
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009742
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】電子サイクロトロン共鳴法と基板ホルダにRFバイアスを印加するバイアスECRプラズマCVD堆積法による試料表面でのチャージアップ現象で生ずるダメージを与えることなく絶縁膜を形成する。【構成】第1ガス導入口7から酸素を導入してプラズマを生成し、第2ガス導入口8からSiH4 を導入し、ウエハ11上にSiO2 膜を形成し、基板ホルダ5にRF電源6からRFバイアスを印加し、スパッタエッチングを生じさせ、SiO2 膜の形成と平坦化を実現する。このとき、マグネットコイル1をその軸心方向と平行に移動させ、チャージアップによるダメージを減少させることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

マグネットコイルを外周に有し、かつマイクロ波導入口を有する円筒形のプラズマ生成室と、このプラズマ生成室と対向し高周波バイアスを印加可能な基板ホルダを有する試料室とからなり、電子サイクロトロン共鳴法を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置において、前記マグネットコイル位置と基板ホルダとの距離を調整可能とするために、前記マグネットコイルをその軸心と平行方向に移動,固定自在としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-120275
特開平3-031481
特開平1-247575

全件表示

前のページに戻る