特許
J-GLOBAL ID：200903077740445829
光利用めつき液およびめつき方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148657
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】 基板の半導体を担持した部分にのみ、少なくとも銅、ニッケル、コバルト、および錫の1種以上の金属を含む厚いめっき膜を形成することが可能な光利用めっき液およびめっき方法を提供する。【構成】 不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤を含む、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上の金属または合金の無電解めっき液からなる光利用めっき液。および、基板表面に半導体を担持する工程と、該半導体を担持した基板を前記めっき液中に浸漬する工程と、前記半導体表面に該半導体の励起エネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射する工程とからなる光利用めっき方法。
請求項（抜粋）：
光を利用して基板に担持した半導体上に、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上を含む金属または合金のめっきを行なうめっき液であって、不可逆的に酸化分解して電子を供給する犠牲酸化剤を含む、少なくとも銅、ニッケル、コバルトおよび錫の1種以上を含む金属または合金の無電解めっき液からなることを特徴とする光利用めっき液。
IPC (3件)：
C23C 18/14
, H01L 21/288
, H05K 3/18
