高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 中村行孝 , 紺野昭男 , 横田修孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-256303
公開番号（公開出願番号）：特開2009-073734
出願日： 2008年10月01日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを1900°Cよりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記1900°Cよりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを1900°Cよりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記1900°Cよりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得ることを特徴とする、炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/36 , C30B 25/16 , C30B 33/02 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/36 A , C30B25/16 , C30B33/02 , H01L21/205

Fターム (26件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077AB10 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077EH06 , 4G077FE11 , 4G077FE13 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB01 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TJ03 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC20 , 5F045AD18 , 5F045CA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

US5611955
US6218680B1

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