特許

J-GLOBAL ID：200903077748724670

カルコゲニドクラッド法を使用する単一レベルの金属メモリーセル

発明者： ローリー,タイラー エイ ,  ギル,マンザー
出願人/特許権者： オヴォニクス インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-572095
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508522
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

基板上で第一コンダクタ(140)と第二コンダクタ(315)との間に配置された位相変化物質(290)の容量と、位相変化物質の容量及び第一コンダクタに結合された複数の電極(2300)とを含む装置は、プログラム可能なメモリーデバイスを構成して示される。さらに、基板上の第一コンダクタにわたって第一コンダクタに結合された複数の電極を導入することと、好ましくは、カルコゲニド型の位相変化物質を複数の電極での電気通信において複数の電極にわたって導入することと、及び第二コンダクタを位相変化物質に結合して位相変化物質上に導入することと、を含む作製方法が記載される。

請求項（抜粋）：

基板上の第一コンダクタと第二コンダクタとの間に配置された位相変化物質の容量と、 前記位相変化物質の容量及び前記第一コンダクタに結合された複数の電極と、 からなることを特徴とする装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A

Fターム (10件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6339544号
  
• マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-501467   出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
• 特開昭59-136966