特許
J-GLOBAL ID：200903077750369349
反応性イオンエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224541
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053883
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 複数枚の基板表面上の二酸化ケイ素を主成分とした膜を単一の減圧槽内で同時に均一な深さにエッチング可能な設置占有面積および消費電力の小さな反応性イオンエッチング装置を提供する。【解決手段】 単一の真空排気系を有する単一の減圧槽内に各々個別のガス導入口と基板加熱ヒーターを有する分割された高周波放電電極を配置し単一または複数の高周波電源により高周波電圧を該高周波放電電極に供給し導入ガスをすべての高周波放電電極に均一に供給かつ基板加熱温度および高周波放電エネルギーを均一に設定できる構造を有する反応性イオンエッチング装置。
請求項（抜粋）：
相対面する上部電極と下部電極とからなる小面積の高周波放電電極を減圧槽内に複数個配設した反応性イオンエッチング装置であって、前記上部電極に複数のガス導入口を形成し、前記下部電極に加熱ヒーターを具備せしめたことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 C
, H01L 21/302 C
