特許
J-GLOBAL ID:200903077752887878
微細パターン複製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-151157
公開番号(公開出願番号):特開2001-328338
出願日: 2000年05月23日
公開日(公表日): 2001年11月27日
要約:
【要約】【課題】 分子レベルの微細な複製物を簡単に作製できるようにすること。【解決手段】 所定極性の単分子を分散させてなる分子インク4を基板5上にパターニングして第1の転写層6を形成し、該極性と一致(親和性)または不一致(非親和性)の単分子を分散させてなる分子インクで第2の転写層7を形成することにより、基板5上に両者が並んだ複製パターンを形成し、次いでこの基板5の表面に被転写体を押し当てて複製パターンを転写する。
請求項(抜粋):
所定極性の単分子を分散させてなる分子インクを基板上にパターニングして第1の転写層を形成し、該極性と一致または不一致の単分子を分散させてなる分子インクで第2の転写層を形成することにより、基板上に両者が並んだ複製パターンを形成し、次いでこの基板の表面に被転写体を押し当てて複製パターンを転写することを特徴とする微細パターン複製方法。
IPC (7件):
B41M 1/02
, B41C 1/00
, B41C 3/06
, B41M 3/06
, B41N 1/06
, B41N 1/12
, B82B 3/00
FI (7件):
B41M 1/02
, B41C 1/00
, B41C 3/06
, B41M 3/06 Z
, B41N 1/06
, B41N 1/12
, B82B 3/00
Fターム (32件):
2H084AA30
, 2H084AA40
, 2H084BB04
, 2H084CC01
, 2H084CC03
, 2H113AA01
, 2H113AA02
, 2H113AA03
, 2H113BA01
, 2H113BA03
, 2H113BC00
, 2H113CA17
, 2H113DA04
, 2H113DA07
, 2H113DA14
, 2H113DA38
, 2H113DA64
, 2H113FA05
, 2H113FA10
, 2H114AA01
, 2H114AA02
, 2H114BA01
, 2H114DA04
, 2H114DA08
, 2H114DA14
, 2H114DA38
, 2H114DA62
, 2H114EA01
, 2H114EA02
, 2H114EA04
, 2H114EA08
, 2H114GA01
引用特許:
審査官引用 (1件)
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電子機器用遮蔽装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-283743
出願人:ソニー株式会社
引用文献:
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