特許
J-GLOBAL ID：200903077757929404
高電力パルスによって磁気的に強化されたプラズマ処理
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-548534
公開番号（公開出願番号）：特表2006-505128
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
本発明によるプラズマ処理装置には、アノードとカソードとが含まれる。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。弱電離プラズマの近傍に磁場を生成するように、磁石が配置される。その磁場は、カソードの近傍の弱電離プラズマ内の電子を実質的に閉じ込める。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を作り出す。その電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。その二次電子は励起原子を電離し、それにより、強電離プラズマを生成する。電圧源は、カソードの近傍に配置される基板にバイアス電圧を印加し、それにより、基板の表面のエッチングを引き起こすように、イオンの一部が基板の表面に衝突する。
請求項（抜粋）：
アノードと、
該アノードに隣接して配置され、該アノードとの間にギャップを形成するカソードと、
該カソードの近傍に弱電離プラズマを生成するイオン源と、
該弱電離プラズマの近傍に磁場を生成するように配置された磁石であって、該磁場は、該カソードの近傍の該弱電離プラズマ内の電子を実質的に閉じ込める、磁石と、
該ギャップの全体に電場を作り出す電源であって、該電場は、該弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、該カソードから二次電子を生成することにより、複数のイオンを含む強電離プラズマを作り出す、電源と、
該カソードの近傍に配置された基板にバイアス電圧を印加する電圧源であって、該バイアス電圧により、該複数のイオンの中のイオンが該基板の表面のエッチングを引き起こすように該基板の該表面に衝突する、電圧源とを備える、磁気的に強化されたプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, H01J 37/32
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, H01J37/32
, H05H1/46 A
5F004AA01
, 5F004BA08
, 5F004BA09
, 5F004BB07
, 5F004BB11
, 5F004BD03
, 5F004BD05
, 5F004CA03
, 5F004CA08
